三星3纳米制程领先台积电?台湾专家表示不屑

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8月14日消息 据台湾媒体报道,三星展示了“环绕闸极”(GAA)制程技术,号称3纳米领先台积电一年。这到底是需用真的?

台湾知产力专家社群创办人曲建仲介绍,场效电晶体(FET)是最基本的电子元件,电子流入再流出,由有一一两个闸极开关控制电子导通代表1或不导通代表0,科学家将它制作在硅晶圆上,是数字信号的最小单位,有一一两个FET代表有一一两个0或有一一两个1,可是我电脑里的有一一两个位数。

“制程节点”代表闸极的“平均长度”,会随制程技术的进步而变小,当缩小到14纳米以下遇到现象,否则 发明家 了“鳍式场效电晶体(FinFET)”,否则 5纳米以下又遇到现象,才经常出现“环绕闸极场效电晶体”。

曲建仲指出,GAA的原理很简单,可是我增加闸极与电子通道的接触面积,能不可还能否 增加控制效果减少漏电流。除了三星,各家晶圆厂早就在发展GAA,可是我形态稍有不同,然后测试效果没法比FinFET好,良率又低,否则 没法拿这种 专有名词来“唬人”而已。

曲建仲强调,三星展出的“水平式”GAA和FinFET性能差异不大,这次三星讲GAA可是我用专有名词来唬外行人,报导说三星想用GAA在3纳米弯道超车台积电,“不可还能否 说需用想像力太充裕,可是我三星的营销比较厉害”。